«Самсунг» начала производить многомерную NAND-памяти
Новинка дает возможность одолеть имеющиеся ограничения масштабируемости энергонезависимых чипов.
Организация «Самсунг» Электроникс сообщила о конце многочисленного изготовления флеш-памяти NAND с трехмерной текстурой упаковки чипсета и отвесным размещением ячей. Новинка дает возможность одолеть имеющиеся ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти.
Первый чипсет «Самсунг» V-NAND объёбог 128 Гбит применяет технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую надёжность работы и синхронно позволяющую уменьшить стоимость чипов флеш-памяти сравнивая с традиционными ячеями с плавучим затвором, и технологию двухслойной сборки с отвесными внутричиповыми объединениями.
«Вместе с стартом изготовления первой во всем мире флеш-памяти 3D V-NAND мы продолжим представлять свежие 3D V-NAND-устройства с усовершенствованной мощностью и отличной насыщенностью. Это посодействует предстоящему росту мировой промышленности товаров памяти», — сообщил Чжон-Хек Чой, младший президент назначения флеш-памяти и технологий компании «Самсунг» Электроникс.
В CTF-конструкции спортивный заряд (устанавливающий находящиеся в ячее памяти данные) на время вмещается в особую отделенную область ячеи из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо применяемого в традиционных разработках плавучего затвора полевого транзистора для устранения интерференции между примыкающими ячеями памяти. Благодаря трехмерной конструкции оболочек в CTF-конструкции удалось существенно увеличить долговечность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только лишь показывает повышение долговечности, но также и в два раза улучшает скорость записи сравнивая со стандартной NAND-памятью с плавучим затвором, также сделанной по процессу 10-нм класса.
Отвесная сборка ячей «Самсунг» V-NAND дает возможность соединить до 24 оболочек в одном чипсете памяти. При этом особая система травления дает возможность образовать отвесные проводящие телеканалы, объединяющие слои от высшего до нижнего. Новая отвесная конструкция сможет помочь «Самсунг» производить NAND флеш-память отличной емкости с помощью повышения числа 3D-слоев ячей вместо последующего наращивания площади чипсета, ведущего к диспропорциональному росту трудозатрат на его изготовление.